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IDF13: Intel promete SoC en 10nm el 2015, 7nm el 2017


Ozeros

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Intel continúa exponiendo en su IDF13 y esta vez nos da una mirado mucho más a futuro con sus próximos productos para el 2015 y 2017. Aunque en el papel es bastante fácil proyectar, hablamos del gigante azul, quien como relojito Suizo, todo lo que pone sobre la mesa finalmente se vuelve realidad en gran medida.



Con Haswell recién dado a luz, Broadwell gestándose en las fabricas y Skylake rondando en los laboratorios de diseño, Intel se encamina con su demoledora maquina de producción para los próximos 4 años con dos nuevos procesos. Estos son los 10nm y los 7nm, llegando casi al límite de la física actual para producir chips y sus respectivos transistores, más allá hay un abismo que sobrepasar.

Como cada vez se hace más difícil imprimir en un waffer (pedazo de silicio) una mayor cantidad de transistores, de cada vez más diminutas dimensiones, se comenta que Intel comenzará a usar la nueva tecnología de litografía EUVL (Extreme ultraviolet lithography). Esta nueva tecnología permitirá, por medio de longitudes de onda ultravioleta, imprimir transistores en el proceso de 10nm y 7nm de una manera más fácil.

Intel-SoC-nm-660x395.jpg

Como Broadwell en 14nm está saliendo de las fabricas de Intel este 2013, con productos reales para el 2014, es probable que los 10nm (Cannonlake?)  proyectados para el 2015 sea en realidad un SoC comercial el 2016. Lo mismo para los 7nm (Skymont?), que saldrá envuelto en dispositivos listos para la venta el 2018.

Fuente: Fudzilla

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