Intel detallará sus avances en transistores durante la EIDM 2012

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Actualmente se encuentra en desarrollo la EIDM, mas conocida como el “encuentro internacional de electrónica de dispositivos, en San Francisco, USA, entre el 10 y 12 de Diciembre del presente año, donde se conocerán varias novedades.

Durante esta 58va convención, Intel hablará sobre los avances que ha realizado en los transistores Tri-Gate, el alma de los CPU Ivy Bridge; Además, IBM mostrara su proceso de manufactura en 22 nm SOI y por si esto fuera poco, TSMC mostrará la técnica conocida como FinFET, que no es mas que germanio integrado en las obleas de silicio, todo con el objeto de avanzar y mejorar los procesos de manufactura.

Esperamos con ansias ver que saldrá de todo esto, ya que como recordaran, con cada nuevo proceso de fabricación, se buscan nuevas técnicas y componentes que permitan superar el límite físico que ya esta alcanzando el silicio.

Fuente: eetimes.com

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