Intel detallará sus avances en transistores durante la EIDM 2012
Actualmente se encuentra en desarrollo la EIDM, mas conocida como el “encuentro internacional de electrónica de dispositivos, en San Francisco, USA, entre el 10 y 12 de Diciembre del presente año, donde se conocerán varias novedades.
Durante esta 58va convención, Intel hablará sobre los avances que ha realizado en los transistores Tri-Gate, el alma de los CPU Ivy Bridge; Además, IBM mostrara su proceso de manufactura en 22 nm SOI y por si esto fuera poco, TSMC mostrará la técnica conocida como FinFET, que no es mas que germanio integrado en las obleas de silicio, todo con el objeto de avanzar y mejorar los procesos de manufactura.
Esperamos con ansias ver que saldrá de todo esto, ya que como recordaran, con cada nuevo proceso de fabricación, se buscan nuevas técnicas y componentes que permitan superar el límite físico que ya esta alcanzando el silicio.
Fuente: eetimes.com